一、igbt导通压降多少正常？
igbt的导通压降是很小的,一般均可以忽略不计,通常小容量的igbt导通压降都在1伏以内,约0.3-0.7伏.而大容量的igbt会略大一些,但也不是很大,一般在1-3伏之间.如果igbt的导通压降过大,那么这个igbt或许已经损坏了,至少是性能大幅下降了,建议还是趁早进行更换.
二、IGBT导通压降怎么测？
接上电源以及负载，用万用表测量输入输出两端电压
三、导通压降和导通电压？
1.
导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。
2.
反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。
四、igbt的触发电压和导通电压？
众所周知igbt是电压控制器件,而且是全控器件.igbt的三个极分别是栅极、发射极和源极.所谓触发电压就是控制igbt的电压,这个电压加在栅极和发射极上,而导通电压则是在源极和发射极,也就是被igbt控制的对象,当然这个电压需要一定的大小并提供一定的电流以维持igbt的导通,而这个电压就称为导通电压.
五、igbt导通条件？
IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。
六、igbt导通时间？
因为IGBT的负载是电感（感性负载，如电机），流过电感的电流大小与时间成正比，所以PWM占空比越高（脉宽越宽）输出电流越大，IGBT导通后会很快进行饱和状态，不可能让它工作在放大区，因为这样损耗太大了。电流公式应该是I=u*t/L,t就是时间，占空比D就是指IGBT开通时间与周期的比值。
七、igbt导通特性？
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相...
IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。
八、请问用pwm控制IGBT，要使IGBT的导通电流增大，PWM应该怎样变化？
如果你的“IGBT的导通电流”指的IGBT工作主回路的输出电流的有效值增大，可以通过将PWM的脉宽增大来实现；如果指的是IGBT导通时的最大电流，单单通过调整PWM是不行的，它取决于很多因素：母线电压、负载、IGBT的额定电流、IGBT的门极驱动电压……你需要深入IGBT器件及其应用电路。
九、igbt导通控制方法？
本发明涉及IGBT导通控制方法和IGBT关断控制方法,在控制IGBT导通时,给IGBT的驱动信号为:首先电压为V1,经过t1时间后,改变为V2,经过t2时间后,改变为V3;其中,V1<V2<V3,也就是说,控制导通的控制信号为一个阶梯
十、igbt导通关断条件？
igbt器件的发射极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的静态驱动功率接近于零。
但是栅极和发射极之间构成了一个栅极电容CGs，因而在高频率的交替导通和关断时需要一定的动态驱动功率。
小功率igbt的CGs一般在10~l00pF之内，对于大功率的绝缘栅功率器件，由于栅极电容CGs较大，在1~l00pF，甚至更大，因而需要较大的动态驱动功率。
igbt栅极电压可由不同的驱动电路产生，栅极驱动电路设计的优劣直接关系到由igbt构成的系统长期运行可靠性。
正向栅极电压的值应该足够令igbt产生完全饱和，并使通态损耗减至最小，同时也应限制短路电流和它所带来的功率应力。
igbt正栅压VGE越大，导通电阻越低，损耗越小。但是，如果VGE过大，一旦igbt过流，会造成内部寄生晶闸管的静态擎柱效应，造成igbt失效。
相反如果VGE过小，可能会使igbt的工作点落人线性放大区，最终导致器件的过热损坏。在任何情况下，开通时的栅极驱动电压，应该在12~20V之间。
当栅极电压为零时，igbt处于断态。由于igbt的关断过程可能会承受很大的dv/dt，伴随关断浪涌电流，干扰栅极关断电压，可能造成器件的误开通。
为了保证igbt在集电极-发射极电压上出现dv/dt噪声时仍保持关断，必须在栅极上施加一个反向关断偏压，采用反向偏压还可减少关断损耗。反向偏压应该在—5~—15V之间。
