一、mos管导通的最低电压？

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

二、gtr导通和关断条件？

电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管Giant Transistor——GTR，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。

GTR基极驱动电路

(1)对基极驱动电路的要求

①实现主电路与控制电路间的电隔离。

②导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，以加速开通过程，减小开通损耗。

③GTR导通期，基极电流都应使GTR处在

三、mosfet导通和关断条件？

晶闸管导通的条件是，晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。　　 维持晶闸管导通的条件是，晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。　　 晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。

四、gto的导通和关断条件？

晶闸管导通条件：门极G加触发信号，主端子A、K之间加正向电压，且使得主端子间的正向电流大于擎住电流。

关断的条件：使主端子间的正向电流小于维持电流。晶闸管关断的实现：减小主端子A、K之间之间的正向电压，直至为零，或加反向电压；也可以利用储能电路强迫关断。

晶闸管导通条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

五、scr导通和关断的条件？

（1）scr导通条件：scr阳极和阴极施加正向电压，控制极施加正脉冲触发，scr就导通。

（2）scr关断条件：阳极和阴极之间的电流下降到谷点电流以下。

六、mos管导通和关断时间？

答：mos管导的开关频率不是固定。

理论上可以达到几十MHz或以上，原来的模拟示波器输入端就用MOS管，这样输入阻抗高，有500MHz的。

常见的开关电源中，其工作频率一般情况下不超百kHz，大部分是几十kHz，这主要是对周边器件要求高。MOS管在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS管两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

七、低电压导联什么意思？

低电压导联意思就是:胸部导联低电压是心电图分析中的术语,指的是用心电图机在胸部体表记录所得的心电活动电压过低,确切是指由V1至V6这6个胸部导联QRS波的振幅均不超过0.8mV,这时就称之为胸部导联低电压。

八、低电压变高电压 原理？

低电压如何变成高电压？不同的电源用不同的升压方法、不同的电压、不同的功率采用不同的升压方法。

（1）交流电源常见通过变压器升压。

（2）小电流通过倍压整流升压

（3）直流过振荡产生高压

（3）直流通过逆变升压.

交流电通过变压器，根据线圈的匝数，来调整N N1/N2=U1/U2来实现升压

九、低电压怎么变成高电压？

不同的电源用不同的升压方法、不同的电压、不同的功率采用不同的升压方法。

（1）交流电源常见通过变压器升压。

（2）小电流通过倍压整流升压

（3）直流过振荡产生高压

（4）直流通过逆变升压.

交流电通过变压器，根据线圈的匝数，来调整N N1/N2=U1/U2来实现升压

简单来说：输入功率等于输出功，初级线圈上的交流电流因为产生磁场的原因（且磁通量改变），使得次级线圈上会产生感应电流和感应电压。

 当次级线圈的圈数大于初级线圈的时候，产生的电压就高于原来的电压。

十、485通信 最低电压？

A线为正端,B线为负端, 线上的bit是1的话,应为-2~-6V左右的电压,线上的bit是0的话,应为+2~+6V. 不通讯时,RS485处于空闲状态,数据线上全是1,当然可以用万用表测Vab电压,电压应该在-2~-6V之间 通讯时,电平时高时低,你要看数据的话必须知道波特率,所以还必须用示波器捕捉波形