一、半导体导通后它的端电压是多少？

半导体的导通电压就是正向电流增大（一般规定为1mA）时的正向电压。这个电压的产生是由于pn结势垒存在一定高度的缘故。对于不同的半导体材料，pn结势垒高度不同，则导通电压也就不一样：Ge二极管的导通电压约为0.6V，Si二极管的导通电压约为0.8V。

二、电压如何测导通？

首先上电测量，交流测220v,直流测本身电压24v12v5v3.3v如果用数字万用表档位是交流档400v，直流档按需要拨档，如果测的的电压为0说明断开，有值说明导通。

三、导通压降和导通电压？

1.

导通压降:二极管开始导通时对应的电压。 正向特性:在二极管外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。

2.

反向特性:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。反向电压增大到一定程度后,二极管反向击穿。

四、半导体二极管导通电压

半导体二极管导通电压的影响因素及常见问题

随着半导体技术的不断发展，半导体二极管在各个领域的应用越来越广泛。然而，在应用过程中，我们常常会遇到一些问题，其中之一就是二极管的导通电压。导通电压是二极管工作的重要参数之一，它直接影响到二极管的性能和使用效果。本文将介绍半导体二极管导通电压的影响因素及常见问题，帮助读者更好地理解和应用二极管。 一、半导体二极管导通电压的定义 半导体二极管导通电压是指二极管的正向电压，当二极管的正向电流达到一定值时，二极管两端之间的电压。导通电压的大小与二极管的材料、结构和制作工艺等因素有关，同时也受到温度的影响。 二、影响半导体二极管导通电压的因素 1. 材料因素：不同材料的二极管导通电压不同，通常硅材料二极管的导通电压较低，而锗材料二极管的导通电压较高。 2. 结构因素：二极管的PN结结构不同，导通电压也会有所不同。 3. 制作工艺：制作工艺会影响PN结的质量和厚度，从而影响导通电压。 4. 温度因素：温度越高，导通电压越大。这是由于温度升高会导致电子的运动加剧，增加电子从一端流向另一端的阻力。 三、半导体二极管导通电压的常见问题 1. 问题一：如何降低半导体二极管的导通电压？ 解答：可以通过选择低导通电压的材料和制作工艺来实现。此外，在实际使用中，可以通过调整散热条件来降低导通电压的影响。 2. 问题二：半导体二极管的导通电压对电路有什么影响？ 解答：导通电压会影响电路的电流和功耗，过高的导通电压会导致电路功耗过大，影响电路的稳定性和可靠性。因此，在设计和应用电路时，需要考虑到导通电压的影响，合理选择和配置元器件。 3. 问题三：半导体二极管导通电压的测量方法是什么？ 解答：可以使用数字万用表来测量半导体二极管的导通电压。将万用表设置在适当的电阻档位，测量二极管的正向电压即可得到导通电压值。测量时需要注意安全，避免触碰到万用表表笔的金属部分。 综上所述，半导体二极管导通电压是影响其性能和使用效果的重要参数之一。了解其影响因素和常见问题，有助于更好地理解和应用半导体二极管。同时，在实际应用中，还需要考虑到其他因素，如工作环境、散热条件等，以确保二极管的安全可靠使用。

五、晶闸管导通时正向电压和反向电压？

每个晶闸管承受的反向电压是线电压(课本有u vt的波形图)因给出的一般是变压器二次侧相电压U2,故先转换成线电压 即√3U2,再转换成线电压峰值 即√2×√3U2。

在三相桥电阻负载时,由于电流断续,晶闸管会关断,这时最大正向电压为根号二的相电压,最大反向电压为根号6的相电压,在阻感负载时,电流一定连续,所以最大正反向电压都是根号6相电压。

六、达到电压自动导通的电路？

这类电路很多，现举几个例子如下:

1、稳压二极管

由稳压二极管组成直流稳压电路，当电压达到稳压二极管的反向击穿电压，稳压二极管就导通。

2、日光灯电路

日光灯管导通需400V电压，可用倍压整流，使灯管两端电升高到400V以上，灯管导通发光。

3、液位控制电路

用浮漂控制滑动电位器，控制加到晶体管基极电压，当电压达到晶体管导电压时导通，控制继电器接通泵站加液。

七、pn结导通死区电压原因？

是这样的,所谓死区电压:

由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于PN结内部的自建电场。

也由于二极管内部的材料是半导体，它对电压有一定的阻力。

电压过低，则无法破坏PN结内部的自建场，所以不同材料的管子，也就有不同的死区电压。

常用的硅管PN结死区电压为0.7-0.8V，锗管为0.1-0.3V

八、继电器导通和截止电压？

继电器导通截止电压表示继电器吸合和释放的电压。

九、pn结电压大于多少导通？

根据导通程度和型号的不同，NP结正向导通后的电压可以在0.6~1.2V之间变化（硅管），如果你说的是三极管的集电结，那个变化范围就更大了，从饱和状态的0.3V左右到上百V都有。

PN分硅材料和锗材料，硅材料的导通电压约0.7V，锗材料的导通电压约0.3V。三极管中的2个PN结的导通电压基本相同，只是反向耐压不同，发射结的耐压小于集电结的耐压。

十、mos管导通后电压要求？

只要维持导通电压即可

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。