一、igbt导通内阻是多少？
导通内阻为1kb左右。
IGBT耐压值是IGBT里面反向二极管的参数，导通内阻只与半导体材料的本身属性有关。
欧姆内阻主要是指由电极材料、电解液、隔膜电阻及各部分零件的接触电阻组成，与电池的尺寸、结构、装配等有关。
电流通过电极时，电极电势偏离平衡电极电势的现象称为电极的极化。极化电阻是指电池的正极与负极在进行电化学反应时极化所引起的内阻
二、怎样测量MOS管的导通内阻？
导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
这个方法是曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。
mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
三、怎么测量mos管的导通内阻？
导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
这个方法是曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。
另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。
mos管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
四、达到电压自动导通的电路？
这类电路很多，现举几个例子如下:
1、稳压二极管
由稳压二极管组成直流稳压电路，当电压达到稳压二极管的反向击穿电压，稳压二极管就导通。
2、日光灯电路
日光灯管导通需400V电压，可用倍压整流，使灯管两端电升高到400V以上，灯管导通发光。
3、液位控制电路
用浮漂控制滑动电位器，控制加到晶体管基极电压，当电压达到晶体管导电压时导通，控制继电器接通泵站加液。
五、低压导通高压截止的电路？
1、工作原理：12V稳压供电，电瓶正极经过电位器分压后接入PNP管基极，电位器调到合适位置，电压低，PNP导通，继电器吸合，充电电路工作，电压达到设定值，PNP截止，继电器断开，充电电路停止工作。
2、由于此电路简单，在开关点附近会频繁切换，可以加以改进，使之工作可靠、稳定。
3、电路改进：12V稳压电源用一个按钮开关启动，继电器增加一对常开触点用来自锁启动按钮，即，与启动按钮并联，这样，当继电器断开时，12V稳压电源也被切断，系统彻底停电。
六、什么是初级电路导通角？
从电源过零变正到晶闸管被触发导通，这段时间折合成的电角度就是初级电路导通角
七、电容充电时电路导通吗？
不导通。
电容器充电的时间一般是几个纳秒，因为它的原理是通过施加电场，电荷在导体间的转移而完成的。 充电器充电的简单原理一般就是个电解池，充好之后放点就是个原电池，你施加电场把充电器内的储能物质变成可以在需要时能自发通过转化化学能而放电的物质。
八、三极管导通内阻是什？
三极管导通后，由于载流子的作用，失去了PN结典型导电特征。只取决于材料和工艺。CE之间在饱和导通的情况静态内阻是相当小的，大概是0.X-X欧的数量级。
三极管的输入电阻rbe=1k左右，输出电阻RC~=RC//RL.
光敏三极管不是用导通电阻参数来表达的，光敏电阻是用亮电阻和暗电阻来表达的。
光敏三极管的主要参数是光电流 IL 和暗电流 ID。
三极管在线性区是恒流器件，没有固定的电阻，在饱和导通时存在饱和压降，也没有固定的电阻。
场效应管有恒电阻工作区，要获得可控电阻，可使用场效应管来实现。
九、三极管饱和导通内阻是啥？
三极管饱和导通时，和内阻没什么关系，只能说rbe比较小。一般几百欧，但是rce和rbc都是比较大的，一般在输出回路里，rce都忽略不计的（因为是并联）。
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
十、电路板上各元件怎么导通？
通过模具或冲孔cnc加工的方法在绝缘基材层和其中一表面贴合的金属线路层形成单面外通的导通盲孔，或是穿过线路板绝缘基材层和上下表面贴合的金属线路层形成单面外通的导通通孔，然后在导通盲孔和导通通孔中采用电镀导通法，贯银、贯铜、贯碳导通法，贯锡焊接导通法填充导电材料实现导通上下线路层。上述导通方法形成在导通盲孔和导通通孔中的导电材料容易虚焊、脱落和氧化，从而影响产品的导通。