一、8205a芯片参数？
8205A是性能最高的沟道N-chmosfet，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优良的RDSON和栅电荷。符合RoHS和产品要求，功能可靠。
8205A属性 8205A参数值 8205A 场效应管(MOSFET) 8205A类型 双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss) :20V 连续漏极电流(Id) - 功率(Pd) :2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) :22mΩ，4.5V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id) :1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs): 6.24nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds) :522.3pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds) :74.69pF@8V 工作温度(最小值): -55℃@(Tj) 工作温度(最大值): +150℃@(Tj)
二、8205a芯片详解？
8205A是性能最高的沟道N-chmosfet，具有极高的单元密度，为大多数小功率开关和负载开关应用提供了优良的RDSON和栅电荷。符合RoHS和产品要求，功能可靠。
8205A属性 8205A参数值
8205A 场效应管(MOSFET)
8205A类型 双N沟道(共漏)
漏源电压(Vdss) :20V
连续漏极电流(Id) -
功率(Pd) :2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) :22mΩ，4.5V,4.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id) :1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs): 6.24nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds) :522.3pF@8V
反向传输电容(Crss@Vds) :74.69pF@8V
工作温度(最小值): -55℃@(Tj)
工作温度(最大值): +150℃@(Tj)
三、8205a贴片引脚功能？
8205a芯片各脚的功能说明。当电芯电压在2.5V至4.3V之间时，DW01 的第1脚、第3脚均输出高电平（等于供电电压），第二脚电压为0V。
此时DW01 的第1脚 、第3脚电压将分别加到8205A的第5、4脚，8205A内的两个电子开关因其G极接到来自DW01 的电压，故均处于导通状态，即两个电子开关均处于开状态。
此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通，保护板有电压输出
四、8205a是什么芯片？
是属于一个双MOS功率管芯片的。8205a是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
五、8205a芯片充电原理？
当电芯电压在2.5V至4.3V之间时，DW01 的第1脚、第3脚均输出高电平（等于供电电压），第二脚电压为0V。
此时DW01 的第1脚 、第3脚电压将分别加到8205A的第5、4脚，8205A内的两个电子开关因其G极接到来自DW01 的电压，故均处于导通状态，即两个电子开关均处于开状态。
此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通，保护板有电压输出。
六、8205a芯片好坏判断？
判断各种MOS管是否损坏的方法大同小异。用指针式万用表把D极和S极找出来，方法是普测三个极，相通的两极必然是D极和S极，余下的一个自然是栅极G。
当用两个表笔接通D极和S极时，用手指头触摸栅极G，此时观察表笔能动管子就是好的，否则就难说了。
七、8205a芯片最高电压？
8205a芯片最高耐受电压为20V。
8205A芯片的全称是UT8205A，是N沟道增强型功率MOSFET管。最大通电电流也是6A, 耐压20V, 导通电阻28毫欧.RDS(ON) 28mR。要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。
八、8205a能用什么芯片代换？
可以用8205b替换，这两个MOS管的性能差不多，主要区别在内阻上，8205B内阻稍微高点
九、8205a芯片的引脚定义？
8205a芯片引脚定义
当电芯电压在2.5V至4.3V之间时，DW01 的第1脚、第3脚均输出高电平（等于供电电压），第二脚电压为0V。
此时DW01 的第1脚 、第3脚电压将分别加到8205A的第5、4脚，8205A内的两个电子开关因其G极接到来自DW01 的电压，故均处于导通状态，即两个电子开关均处于开状态。
此时电芯的负极与保护板的P-端相当于直接连通，保护板有电压输出
十、8205a能替换8205b吗？
如果封装一样，8205a就能够替换8205b。
因为，这两个MOS管的性能差不多，主要区别在内阻上，8205B内阻稍微高点。
MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管），属于绝缘栅型。