一、ttl电路和cmos电路的区别？

TTL与CMOS电路的区别

TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快（数ns），功耗大（mA级），负载力大，不用端多数不用处理。

CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。

CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。

TTL：由于它的输入多射击晶体管的结构，决定了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降，大约为 1.4V。TTL 电源只有 5V的，而且输入电流的方向是向外的！

CMOS 电路应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于 TTL 电路。

如果是 TTL 驱动 CMOS，要考虑电平的接口。TTL 可直接驱动 74HCT 型的 CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。

如果是 CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动 74/74LS 型 TTL，除此需要电平转换。

由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以 NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且 CMOS 具有电流闩锁效应，容易烧掉 IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。

CMOS :H 5V L 0V,TTL H:4.3V左右,L 0.4V ;

TTL 双极器件、电源电压5V、速度快数ns、功耗大mA级、负载力大，负载以mA计，不用端多半可不做处理。

CMOS 单级器件、电源电压可到15V、速度慢几百nS，功耗低省电uA级、负载力小以容性负载计，不用端必须处理。

设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列。

通常用74HCXXX系列的可兼顾速度和功耗。是一种改进型的CMOS技术。

CMOS 和 TTL 电平的主要区别是输入转换电平. CMOS 的转换电平是电源电压的 1/2, 从 4000 系列的电源电压最高可达 18V, 到 74HC 的 5V, 以至 3.3V 和将来的 2.5V, 1.8V, 0.8V 等等. 这是因为 CMOS 的输入是互补的, 保证转换电平是电源电压的 1/2. TTL 由于其输入多射极晶体管的结构所决定, 转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降, 大约是 1.4V 左右. TTL 电源只有 5V 的, 而且输入的电流方向是向外的.

二、CMOS电路和TTL电路的区别？

功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

速度 通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。

电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。

门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。

将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。

CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。

三、cmos和ttl电路的输出状态？

(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。

TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。

用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。

CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）

CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。 功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。

四、ttl cmos集成门电路使用规则？

1、主要注意TTL和CMOS门电路闲置端的处理，书上应该都有，如果找不着你在问我。

2、OC门的线与功能和三态门的使用。

3、门电路输入端接电阻是相当于高电平还是低电平，比如大于开门电阻就是高电平，小于开门电阻就是低电平。 但是一般这些都不会直接问你，都是以图的形式给出，然后问表达式。一般就是选择或填空题。

五、ttl门电路和cmos门电路逻辑表达式？

TTL门电路的输入端悬空时相当于高电平输入输入端接有电阻时其电阻阻值大于1.4K时该端也相当于高电平电阻值小于0.8K时该端才是低电平。 而CMOS逻辑门电路输入端不管是接大电阻还是接小电阻该端都相当于低电平即地电位。按照这个原则判断很清晰了

六、CMOS电路与门电路的区别？

CMOS电路是电路中构成电子元件的性质，门电路是电路的形式。门电路可以有CMOS电路构成，也可以有非CMOS电路构成。

七、ttl集成电路比cmos低吗?

低

TTL集成电路使用（transistor）晶体管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强

CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进

TTL属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是<0.2V为输出低电平；>3.4V为输出高电平。而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。

八、ttl门和cmos门的电路外部特性？

ttl电路速度较快，cmos相对较慢，ttl电路功耗比cmos电路大。 ttl电路基本单元是晶体管，cmos电路基本单元是mos场效应管。

九、ttl门电路与组合逻辑电路？

1. TTL门电路一般由晶体三极管电路构成。对于TTL电路多余输入端的处理,应采用以下方法： 1. TTL与门和与非门电路： 1. 将多余输入端接高电平，即通过限流电阻与电源相连接； 2. 根据TTL门电路的输入特性可知，当外接电阻为大电阻时，其输入电压为高电平，这样可以把多余的输入端悬空，此时输入端相当于外接高电平； 3. 通过大电阻（大于1kΩ）到地，这也相当于输入端外接高电平； 4. 当TTL门电路的工作速度不高，信号源驱动能力较强，多余输入端也可与使用的输入端并联使用。 5. TTL或门、或非门： 1. 接低电平； 2. 接地； 3. 由TTL输入端的输入伏安特性可知，当输入端接小于IKΩ的电阻时输入端的电压很小，相当于接低电平，所以可以通过接小于IKΩ（500Ω）的电阻到地。 4. CMOS 门电路一般是由MOS管构成，在使用CMOS门电路时输入端特别注意不能悬空 1. 与门和与非门电路：多余输入端应采用高电平，即可通过限流电阻（500Ω）接电源。 2. 或门、或非门电路：多余输入端的处理方法应是将多余输入端接低电平，即通过限流电阻（500Ω）接地。

十、数字电路如何判断TTL门电路和CMOS门电路的输出逻辑状态？

(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。

CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门） CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。