一、mos管导通后电压要求？

只要维持导通电压即可

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

但是，场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

二、mos管导通的最低电压？

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。

一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。

开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。

三、mos管导通的漏极电压？

漏极电压与源极电压相同

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

四、mos管导通后各极电压？

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

MOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是：

VGS

|VGS|>|VTP (PMOS)|

值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

五、mos管栅极接什么电压时导通？

mos管栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3.3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。

那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。

MOS管驱动方法 MOS管是电压驱动型的器件,和三极管是不同的,只有栅极(G)电压大于门极开启电压(Vgs)才可以导通。

六、mos完全导通电压？

大概在0.306V和0.23V之间

一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。双极型三极管的极间电容不大，所以不需要类似的驱动电路了。

MOS管的参数中没有直接给出管压降，而是给出导通电阻Rds（on），SI2301的导通电阻在Dd=3.6A时是85mΩ，在Id=2A时是115mΩ，这样可算出它的管压降在3.6A和2A时分别为0.306V和0.23V。

七、mos管的导通时间？

mos管Cgs充满电就导通，mos管的使用频率越来越高，现在导通时间都是几十nS左右。

八、mos管导通后断电后还是导通？

mos管导通后，因栅极与源极之间有一定的结电容存在，只要栅源极电压存在，mOS还是导通状态，只要在漏源极间加上电压即可导通。所以MOS管在储存时应注意防止静电击穿损坏。

九、增强型NMOS管，如果在GD两端加正电压，MOS管会导通吗？

mosfet的是个对称的四端器件，sd是没区别的，所以电压给对就是可能导通的。

但一般情况下bs可能接在一起，就没有那么对称了，不过这样的影响是，当sd间加正电压时，bd间的pn结会导通。但这是因为b的电位随s变化导致的，不是sd搞反了导致的。

十、mos管的导通电压是多少？

你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。工艺越先进，阈值电压越小，例如0.18um，PMOS的阈值电压可能只有-0.4V左右，NMOS更小一些，可能0.3V左右。